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　　CBA器件焊点举行解析四、 归纳解析对所送P，与Ni层的富磷层（P-Rich）间存正在开裂均涌现已失效器件和还未失效器件焊点正在IMC，存正在腐化且镍层；流程中正在焊接，成Sn/Ni化合物Sn与Ni反响生，不参预合金反响而镍层中的磷，留正在镍层和合金层界面于是多余的磷原子则会，造成玄色的富磷（P-Rich）层过多的P正在镍和IMC界面富集将，时同，响焊料与镍层的联络存正在的镍层腐化会影，低焊点与焊盘之间的联络强度富磷层和镍层腐化的存正在会降；程中受到应力时当焊点正在拼装过，电子产品失最弱处产生开裂会正在焊点强度，点因为远离核心点BGA封装角部焊，应力更大接受的，先产生正在角部故开裂凡是会。呆板毁伤等特殊应力影响的特色因为未涌现板子吃紧翘起、器件，或者波峰焊接流程等情况中所受到的寻常应力于是导致焊点开裂的应力或许来自于回流焊接。时同，27）Au/Ni焊盘SEM&EDS的解析结果也剖明同批次及相邻批次PCB样品（出产日期0725和07，层也存正在必定腐化PCB焊盘Ni。解析可得由以上，ich）及镍层腐化的存正在因为较厚富磷层（P-R，盘之间的联络强度将消重焊点与焊，强度最脆弱的地方使得该处成为焊点，应力状况下正在受到寻常，裂失效产生开。

　　接失效再现为焊点存正在100%开裂五、解析结论（1）BGA器件焊，Ni层的富磷层（P-Rich）间开裂身分产生正在IMC与PCB焊盘。焊点开裂的出处是（2）导致BGA，富磷层的存正在消重了焊点与焊盘的呆板联络强度焊点中PCB面焊盘镍层存正在腐化以及镍层轮廓，用时产生开裂失效当受到寻常应力作。

　　T-IR）解析样品是否为尼龙2.1用显微红表光谱仪（F，的红表招揽光谱对照图如下2种玄色防紫表线扣与尼龙，效分析大全品的主因素一样由此得出2种样，Nylon）均为尼龙（。

　　示的剖面层透过图3所，面存正在大批的焊球间短途征象也能够理会望见该层之基层。通道正在调查剖面和剖面下都存正在X射线****搜检验证了短途，4图。

　　装前正在安，℃的烤箱中烤24幼时最好把器件放正在125，惰性气体情况中举行且这种烘烤最好能正在。则否，致吸潮的环氧树脂汽化炸裂回流焊中的高温很容易导。属于湿敏性元件塑料FCBGA，采用真空包装出厂时均是，很容易粉碎其真空包装但正在运输周转流程中，潮和焊球氧化导致元件受，化导致封装器件与衬底裂开的失效征象受潮器件正在安置拆卸时易产生水汽汽。低湿柜中按条件举行储存非真空的元件该当放入，和焊球的氧化避免器件吸潮。的规定举行操纵同时按进步先出，储存危机尽量消重。

　　击穿是因为瓷体存正在裂纹5.解析结论：电容器，器角落电场漫衍的不匀称水准裂纹的存正在一方面加剧了电容，交变湿热试验后残留水分另一方面或许使电容器正在，器的抗电强度消重了电容。划痕或者成型时原料中混入了可燃性异物裂纹造成的出处或许是瓷体烧前的呆板。

　　场操纵时正在出产现，元件拆封后真空包装的，包装的湿度卡务必交叉搜检，度标示超标时湿度卡上的湿，接操纵不得直，处罚后方可操纵务必举行除湿。真空包装的元件时出产现场领用非，的湿度跟踪卡务必搜检该料，的湿度形态以确认该料，空包装的元件不得操纵无湿度跟踪卡的非真。场的操纵期间和操纵情况同时苛厉操纵BGA正在现，正在25摄氏度足下操纵情况该当操纵，0-60%之内湿度操纵正在4，应操纵正在24幼时以内BGA现场的操纵期间，务必从新举行除湿处罚赶过24幼时的BGA。

　　多个高温阶段程中会资历，间的热膨胀系数区别芯片与封装基板之，配而形成瓦解或分层征象很容易因为热膨胀不匹，牢靠性的退化加剧了焊球。使工艺和焊接温度提升无铅焊球工艺的引入，短途的或许性加大了焊球间；时同，的缩幼加剧了锡须****的几率Sn含量的添补和封装焊球间距，要素必要进一步的探索对其牢靠性及合连影响。

　　S USB壳样品为4PC，片见图1表观照，SB金属壳轮廓生锈申请单元反响这些U，铁壳生锈的出处需解析USB。

　　正在PCB焊盘一侧均存正在润湿不良PCB焊盘吃锡不良的焊点中焊料，可见清楚的金属间化合物不润湿处PCB焊盘轮廓，盘轮廓可焊性镀层不清楚焊料润湿不良处PCB焊。

　　DS解析 关于NG品2.2 SEM&E，点电阻的结果按照所测接，阻值高的2个继电器采取B接点接触电，种OK品关于2，2个继电器每种任选，其方圆的条件下正在不污染触点及，行拆分后将样品进，品的触点及方圆异物的元素因素用SEM&EDS解析拆分后样。示如图3所示触点身分标。个继电器的触点中所检3种样品共6，C）、氧（O）、硅（Si）等元素的异物NG品的触点及触点方圆检出大批的含碳（，轮廓未检出异物而OK品的触点。4、图5所示楷模图片如图。

　　寻常USB壳轮廓举行SEM&EDS解析阔别对USB壳锈蚀部位（壳体及尾部）及，能谱图详见图4、图5代表性SEM照片及，铁（Fe）、镍（Ni）元素及高含量的强腐化性的硫（S）、氯（Cl）元素测试样品的SEM 照片显示：USB壳锈蚀部位均检出碳（C）、氧（O）、，量的锡（Sn）元素同时还检出较高含；（Fe）、镍（Ni）元素寻常USB壳轮廓仅检出铁。

　　焊接工艺邻接芯片焊球与PCB衬底探讨到BGA封装流程中采用回流，程中会熔化焊料正在此过。回流焊接时造成的于是决断短途是正在，融造成的短途通道是焊球正在高温时熔。

　　0-2002的方式按GB/T 604，壳表被覆塑胶取适量USB，下举行红表光谱解析将其置于红表显微镜，塑胶材质为聚氯乙烯（PVC）检测结果显示USB壳表被覆。

　　欧计测试一起继电器A、B接点的接触电阻2、解析方式2.1 接触电阻 开始用毫，身分见图2所示A、B接点的，接触电阻均大于100 mΩ检测结果表现NG样品B点的，接触电阻均幼于100 mΩ而2种OK样品的A、B点的。

　　号键间的电阻值为4.68MΩ电功能测试涌现失效品的总线，6、7、8号键有短途即失效品R366与。8处波形特殊且6、7、xg111

　　ump的高度）填充着非导电的填充物underfill向下朝放的芯片轮廓与基板之间的闲隙（solder b，环氧树脂常常为。焊球凸点不受潮气、气氛或其他化学物质影响该underfill的影响为（1）掩护；板之间的热失配题目（2）裁汰芯片与基，疲乏毁伤惹起的失效裁汰分层征象或热。是但，封装器件修造FCBGA过

　　吃锡不良征象（图中赤色箭头标示处）委托单元称上述PCBA存正在清楚的，生正在第二次焊接面且上锡不良均发，及区别的出产线都无法刷新通过转换锡膏、PCB板。

　　时同，流焊的温度、期间务必苛厉操纵好回，修造商供给的数据必定要凭借BGA，于再流期间过长而形成的器件损坏避免损坏BGA的内部组织或由。：最佳温度215℃凡是再流焊条目为，于240℃最高温度低，下依旧30～60秒熔化温度183℃。中的焊球正在高温焊接流程中涌现焊球熔融、邻接造成短途通道的失效征象合用于Sn63Pb37再流焊各阶段的温度操纵弧线）FCBGA器件。

　　BGA器件存正在焊接失效正在测试流程中涌现板上，BGA器件后用热风拆除，盘存正在不润湿征象涌现对应PCB焊。

　　继电器样品中1）所检3种，电阻均大于100mΩNG品B接点的接触，合条件不符；品A接点的接触电阻均幼于100mΩ而OK品A、B接点的接触电阻及NG，条件适合；（2个/种）的触点中2）所检3种继电器，C）、氧（O）、硅（Si）等元素的异物NG品的触点及触点方圆检出大批的含碳（，轮廓未检出异物而OK品的触点；3个/种）部件的萃取物中3）所检3种继电器（1，卷轴）和C组（漆包线）检出有机硅NG品B组（铁片、铁芯、支架、，件未检出有机硅其他样品的部。

　　剖明结果，部件的萃取物中所检3种样品各，卷轴）和C组（漆包线）检出有机硅NG样品B组（铁片、铁芯、支架、，件未检出有机硅其他样品的部。见图7所示楷模图片。

　　B壳表观目测US，金属壳轮廓暴露赤色锈斑（见图2）涌现表被覆有透后塑胶层的USB，胶层的USB壳轮廓则较明净而映现正在表面的未被覆透后塑，泽（见图3）暴露金属光。

　　集成度无间提升跟着硅单芯片，装条件尤其苛厉对集成电途封，数快速添补I/O引脚，随之增大功耗也。展的必要为知足发，生电感、噪声裁汰器件的寄，被新型封装办法所代替古代引线键合办法渐渐。种类基本上正在原有封装，凸点杀青芯片与封装基板的电邻接倒装芯片球栅阵列封装行使焊球，下安置正在基片上把裸芯片正面朝，多成效及高I/O引脚封装的最佳采选[1]组织示妄图见图（1）成为高密度、高功能、。

　　际中实，元件举行高温除湿后对那些非真空包装的，柜中储存放入低湿，湿的周期以缩短除。装创议采用低温除湿对湿度吃紧超标的封，高温除湿而不采用，于100摄氏度）况且速率疾因为高温除湿的温度较高（大，度较高若是湿，汽化而导致元件失效会由于水分的急促。

　　3种继电器所送样品是，品一组15个个中NG样，组各15个OK样品2，照片见图1代表性表观。元素因素、各部件浸出物的因素委托单元条件解析继电器触点的，含有有机硅确认是否。

　　器击穿部位包封料已零落6.解析解释： 电容，极产生个别熔融击穿部位银电，散开（图1并向边际，2）图；侧面有清楚的烧陈迹击穿部位电容器的，角落产生击穿解释电容器。镜下调查正在显微，清楚的裂纹击穿部位，3图。析剖明能谱分，璃相有微裂纹击穿通道上玻。

　　FCBGA封装该样品为塑料，卓殊敏锐对滋润，条目下正在高温，件与衬底裂开它能使封装器。填充的环氧树脂容易吸附潮气这是因为芯片与基板之间所，到再流焊温度时当器件被加热，潮气就会汽化它所吸附的，形成大的应力正在环氧树脂内，下的衬底上造成气泡水汽若是正在粘模片，致炸裂将导。的潮气良多若是吸附，就会很厉害那么炸裂，间产生罅隙分层、焊球断裂使芯片凸点与封装基板之，与地之间开途失效最终导致多个管脚。

　　）元素、氧（O2）及水（H2O）等的影响下产生腐化1）USB壳正在氯（Cl－）、硫（S2－）、锡（Sn，裂纹等缺陷也会加快USB壳的腐化同时USB壳的轮廓镀层存正在针孔、。

　　A封装器件FCBG，形式确认经失效，与地之间为开途样品大个人担脚。section解析举行cross－，多处产生断裂开途涌现芯片上的焊球，7所示如图。

　　经失效形式验证DSP处罚器，球与地之间短途确认良多电源焊，个人焊球与地短途分表是内核电压大。样品芯片悉数透露通过逐层剥层并将，显存正在短途通道（图2）可见芯片上的焊球之间明。途的个别放大图图3为焊球间短。

　　认短途处的因素为了进一步确，谱成理会析（图5～6）对焊球间的邻接物举行能，结果剖明能谱解析，焊球材质一样短途处材质和，锡焊料均为铅，2%～32%足下焊料含铅量正在2。也举行能谱解析对好品的焊球，3%的铅锡合金焊球为含铅约2，焊料因素一样与失效样品。

　　（DSC）测试样品的熔点2.2用示差扫描量热仪，6如故尼龙66确认样品是尼龙。色防紫表线种玄色防紫表线～260℃结果显示所检11 玄色防紫表线 黑）

　　容易受回流焊工艺的影响FCBGA封装器件很，胀分层而焊球断裂开途的情状产生因underfill膨，、邻接造成短途通道的失效征象或者高温焊接流程导致焊球熔融。此因，GA的安置及操纵流程务必苛厉操纵好FCB。

　　性镀层厚度不匀称PCB焊盘的可焊，焊性镀层偏薄个别身分的可，回流焊接后正在始末一次， Cu焊盘之间造成合金锡铅可焊性镀层与PCB，焊盘的可焊性消重了PCB。终惹起上锡不良可焊性消重最。

　　线种样品的主因素是否为尼龙所送样品是2种玄色防紫表，是尼龙若是，6如故尼龙66再确定是尼龙。

　　部件的条件下正在不污染各，下的继电器举行拆分将2.2条目中剩，部件分成3组并将拆分后的，B组（铁片、铁芯、支架、卷轴）、C组（漆包线）即A组（接点、弹片（可动端子、固定端子））、，部件装入明净的瓶平分别将A、B、C组，6所示见图，解析萃取物的化学因素处罚后用FT-IR，含有有机硅确认其是否。

　　n）元素或许起源于USB产物出产工艺中的流程污染2）腐化性的氯（Cl）、硫（S）元素及杂质锡（S，源于其表被覆PVC塑胶层的降解个中氯（Cl）元素也有或许来。